Micron готова выпускать 16-нм флеш память

,15 июня 2015

Компания Micron анонсировала выпуск флеш-накопителей для приложений, требующих высокого быстродействия памяти.

TLC NAND кристаллы, произведенные по 16 нм технологическому процессу, требуют на 28% меньше места на в ячейке, по сравнению с MLC кристаллами такого же объема. Благодаря этому можно выпускать больше памяти из каждой кремниевой подложки, что, в конечном счете, снизит себестоимость производства единицы продукции и ощутимо повлияет на конечную стоимость SSD изделий.


Нужно отметить, что трехуровневая (TLC) память продолжительное время не могла использоваться для изготовления SSD памяти. Ее применяли, главным образом, для производства внешних флеш-накопителей. Причина в том, что память типа TLC не обеспечивала достаточного уровня надежности при высоких нагрузках и большом количестве циклов записи. Однако новые разработки в сфере алгоритмов работы твердотельных жестких дисков, а также новые версии контроллеров нивелируют эти недостатки. Сегодня память типа TLC успешно используется для SSD.

Пионером в сфере разработок и вывода на рынок памяти данного типа выступила компания Samsung. За ней подключились Toshiba и SanDisk. Как видим, Micron также анонсировала свои успехи в данной области. Для пользователей это значит, что в ближайшем будущем можно ожидать некоторого снижения цен на SSD потребительского класса.

Поделиться: