Работа над созданием энергонезависимой памяти 3D Xpoint, которая велась на протяжении 10 лет корпорацией Intel совместно с компанией Micron Technology Inc., наконец завершена. Это изобретение смело можно называть первым «прорывом» в компьютерных технологиях, связанных с памятью, начиная с 1989 года, когда была разработана технология NAND Flash.
Память 3D Xpoint в тысячу раз быстрее, а плотность размещения компонентов в десять раз выше, чем у чипов, выполненных по ныне действующим технологиям. Также она значительно надежней и, соответственно, имеет более длительный срок службы.
Хотя на сегодняшний день компания держит все подробности в секрете, разработчики все же сообщили, что ними была применена перекрестная архитектура, напоминающая трехмерную «шахматную доску», где для расположения блоков памяти использованы пересечения числовых и разрядных линий. Благодаря этому происходит адресное обращение к нужной ячейке, благодаря чему значительно повышается скорость и эффективность процесса чтения и записи данных.
Так, если измерение скорости, с которой процессор обращается к блокам памяти в жестких дисках и NAND Flash производится в микросекундах (10 -6 секунд), то в 3D Xpoint скорость будет измеряться уже в наносекундах (10 -9 секунд).
Благодаря внедрению нового вида памяти будет решена одна из главных проблем для всех производителей – скорость работы систем хранения информации и обработки огромного числа сведений в режиме реального времени.
Несколько заказчиков смогут начать тестирование первых образцов памяти 3D XPoint уже в этом году. А с 2016 года компании Intel и Micron начнут выпускать собственную продукцию, в которой уже будет применена эта технология.