Разработка флеш-памяти NAND: пути Intel и Micron разошлись

Впервые концепция флеш-памяти NAND была продемонстрирована компанией Toshiba еще в далеком 1989 году. Тогда никто не мог и помыслить, насколько усовершенствуются технологии за почти три десятка лет. В настоящий момент производители уже научились построению вертикальной компоновки блока ячеек на кремниевом кристалле путем тончайшего напыления слоев проводника и изолятора. Технология получила название 3D NAND и обозначила качественный прорыв в повышении плотности флеш-носителей. Последним «писком» стала разработка моделей с 64 слоями. Именно это и было одним из основных направлений многолетнего сотрудничества компаний Intel и Micron. Но похоже, что компании в ближайшем будущем пойдут каждая своим путем

Прекращение совместной разработки 3D NAND

8 января 2018 года Micron и Intel официально заявили, что планируют прекратить совместную работу над созданием и внедрением технологии 3D NAND. До сих пор велась активная работа над усовершенствованием технологии, и ее результатом стали совершенно невероятные 64-слойные чипы флеш-памяти. Но и они не стали пределом. Третье поколение компании собираются представить публике и профессиональному сообществу в конце этого года. На этом сотрудничество Intel и Micron в сфере модернизации 3D NAND и создания ее новых модификаций предположительно будет прекращено.

Это заявление отнюдь не значит, что компании отказываются совершенствовать технологию. Просто с началом 2019 года каждая из них будет продолжать разрабатывать многослойную NAND самостоятельно по мере возникновения бизнес-интересов в этом направлении.

Также это и не является никаким «разводом», так как компании останутся партнерами и продолжат совместную работу над энергонезависимым типом памяти 3D XPoint. И сотрудничество очевидно будет вполне взаимовыгодным и взаимозависимым, так как Intel в этом направлении без Micron никак не обойтись. Самые первые чипы 3D XPoint были выпущены на заводе совместного предприятия IM Flash Technologies в США в штате Юта, и сейчас этот завод занимается исключительно этим направлением, и к ноябрю его даже планируют расширить. Есть некоторые производственные мощности в Сингапуре, но они тоже принадлежат СП IM Flash Technologies.

С памятью 3D NAND ситуация несколько другая. Intel около года назад завершила работы по модернизации одного из своих заводов в Китае, и теперь может вполне заниматься выпуском этих чипов полностью самостоятельно.

Создание и внедрение технологии 3D NAND
Создание и внедрение технологии 3D NAND

«Многоходовочка» от Intel

Решение компаний навскидку может показаться странным. Ведь никакого разрыва нет, СП IM Flash Technologies как работало, так и будет работать. Тогда зачем было дробить одно направление? Но так может показаться только при поверхностном взгляде на вещи.

Ранее представители Intel не единожды уточняли, что не собираются участвовать ни в каких «соревнованиях» в сфере технологии NAND. Микропроцессорный гигант позиционировал свои планы в основном вокруг выпуска корпоративных SSD, а что касается NAND, то под эти решения даже не планировалось искать пути сбыта. Такой подход автоматически означал простое следование за потребительским спросом и не предполагал расширение производственных мощностей.

Действительно, в 2012 году Intel даже уступила свою долю в сингапурском заводе той же Micron, а себе оставила лишь один завод в американском штате Юта. Позже, в 2015 году компания инвестировала 5 млрд. долларов США в переоборудование завода в китайском городе Далянь, на которого до этого был возложен выпуск 2D NAND и чипсетов. Уже с мая 2017 года завод в Китае начал производить новейшую 64-слойную флеш-память 3D NAND, и все технологические процессы уже происходили без участия Micron. Так что дистанцирование от Micron уже трудно, да и бессмысленно отрицать.

Как сообщило недавно электронное издание DigiTimes (Тайвань), ссылаясь на локальных производителей, местная фирма Tsinghua Unigroup может в ближайшее время стать лицензиатом Intel по части выпуска устройств на технологии 3D NAND. Инсайдеры считают, что таким образом Intel рассчитывает глубже проникнуть в рынок КНР и экономику Поднебесной в целом.

С такими проявлениями стратегии корпорации остаются не вполне понятными некоторые моменты. Модернизация завода в Даляне вполне объяснима, так как продукция 3D NAND без проблем найдет массового покупателя внутри Китая. Но какие мотивы преследует Intel, фактически помогая местным производителям наладить собственный процесс серийного выпуска новейших носителей, уже далеко не так очевидно.

Некоторые эксперты предлагают следующую версию. Не так давно – в 2014 году Intel официально заявила о планах покупки около 20% акций Tsinghua Unigroup, которая на тот момент была еще относительно малоизвестной. У Intel были далекоидущие планы – компанию больше интересовало сотрудничество с «дочками» Tsinghua Unigroup: RDA Microelectronics и Spreadtrum Communications. Именно из этих, серьезных между прочим, вложений и возник проект SoC Intel SoFIA. Тогда Intel максимально «мимикрировала» под китайские реалии и даже саму покупку акций осуществила в юанях, а это астрономическая сумма — 9 млрд юаней (около полутора миллиардов долларов США).

Теперь уже гораздо понятнее, почему Intel так заинтересована в финансовом успехе Tsinghua Unigroup, ведь она сама же владеет «китайским партнером» на 1/5, что очень немало. Передавая Tsinghua технологию новейшей 3D NAND, Intel не может не понимать, что передовые разработки, умноженные на китайский энтузиазм и неизбывную энергичность, произведут взрывной эффект мирового масштаба. Таким образом, Intel оказывается в огромном финансовом выигрыше. Ради таких перспектив частичный «развод» с Micron выглядит уже далеко не таким бессмысленным, полагают эксперты.

Первые данные об SSD от Intel на 64-слойной 3D NAND

Одновременно с далеко идущими проектами и прозорливыми махинациями Intel не забывает и текущих делах, успешно ставя на место конкурентов в области производства носителей на основе 3D NAND. При этом компании вполне удается сочетать высокую производительность и вполне доступную цену.

Профильным изданиям удалось выяснить, что в самое ближайшее время стоит ожидать пополнения в ассортименте продуктов Intel. Это должны быть новые три линейки SSD 660p и 760p, выполненные в форм-факторе M.2 2280, а также 700p в форм-факторе BGA SSD.

Самыми производительными будут, вполне ожидаемо, накопители 760p. Скорость считывания и записи будет достигать невероятных 3,2 Гбайт/с и 1,6 Гбайт/с соответственно. Таких показателей удалось достигнуть благодаря сочетанию 64-слойной памяти 3D TLC NAND, интерфейса PCI Express 3.0 x4 и протокола NVMe. Тип контроллера пока неизвестен. Значения IOPS предположительно тоже не разочаруют: до 350 000 считывание и до 280 000 запись.

Вероятнее всего эти параметры касаются нескольких старших носителей из всех линейки. В целом же ожидается пять видов накопителей: емкие на 0.5, 1 и 2 Тбайт и «загрузочные» — на 128 и 256 Гбайт.

У 700p скоростные показатели будут поскромнее. Тип памяти в этом семействе тоже будет 3D TLC NAND в 64 слоя, а основное целевое применение – интеграция в тонкие и быстрые ультрабуки типа «два в одном». Энергопотребление у них будет в два раза меньше, чем у 760p — 0,05 Вт против 0,1 Вт. В качестве отдельных продуктов в рознице Intel SSD 700p, скорее всего, не будут продаваться ни при каких обстоятельствах.

На все описанные носители Intel будет распространять официальную 5-летнюю гарантию.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *